SIZ250DT-T1-GE3

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SIZ250DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR

  • メーカーVishay Siliconix
  • Mfr。パート #SIZ250DT-T1-GE3
  • パッケージ
  • データシート SIZ250DT-T1-GE3 DataSheet
  • 在庫中6188

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仕様

Series TrenchFET® Gen IV
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 38A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Power - Max 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Supplier Device Package 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Base Product Number SIZ250
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V

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