SI7113ADN-T1-GE3

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SI7113ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

  • メーカーVishay Siliconix
  • Mfr。パート #SI7113ADN-T1-GE3
  • パッケージ
  • データシート SI7113ADN-T1-GE3 DataSheet
  • 在庫中24589

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仕様

Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 132mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 27.8W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Base Product Number SI7113

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