SI5504BDC-T1-E3

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SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

  • メーカーVishay Siliconix
  • Mfr。パート #SI5504BDC-T1-E3
  • パッケージ
  • データシート SI5504BDC-T1-E3 DataSheet
  • 在庫中9421

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仕様

Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Power - Max 3.12W, 3.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Base Product Number SI5504
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V

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