SI4850EY-T1-GE3

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SI4850EY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6A 8SO

  • メーカーVishay Siliconix
  • Mfr。パート #SI4850EY-T1-GE3
  • パッケージ
  • データシート SI4850EY-T1-GE3 DataSheet
  • 在庫中6591

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仕様

Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number SI4850

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