SI4463CDY-T1-GE3

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SI4463CDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO

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仕様

Series TrenchFET®
Part Status Active
Base Product Number SI4463
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4250 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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