SI4403CDY-T1-GE3

画像は参照用のみです。

SI4403CDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO

  • メーカー
  • Mfr。パート #SI4403CDY-T1-GE3
  • パッケージ
  • データシート
  • 在庫中9464

100% オリジナル &新しい

出荷の準備ができている24時間

365日の保証

RFQおよびもっと割引を得る

仕様

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 90 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2380 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 5W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-SOIC

概要

Description

SI4403CDY-T1-GE3 is a single N-channel enhancement-mode MOSFET from Vishay Siliconix. It’s used as a compact power switch in applications like DC-DC converters, load switches, motor/LED drivers, and similar power-management tasks. The GE3 suffix indicates RoHS-compliant, lead-free, tape-and-reel packaging (T1). In use, it behaves as a low-impedance switch when the gate is driven above threshold; the source is usually tied to ground (low-side) or connected to the return node with proper gate drive for high-side use. Key specs to verify in the datasheet are the drain-source voltage rating (Vds), continuous drain current (Id), on-resistance (Rds(on)) at your gate voltage, gate-threshold voltage, total gate charge, and thermal characteristics (RθJA). For exact electrical values and packaging details, consult the Vishay datasheet for SI4403CDY-T1-GE3.

Package

SI4403CDY-T1-GE3 uses a 6‑pin SC‑70/SOT‑23‑6 package.

Pinout

- Pin count: 8 pins (8-pin package, e.g., SOIC/TSSOP style)
- Function: Dual N-channel MOSFET device (two MOSFETs in one package for power switching)

Manufacturer

Manufacturer: Vishay Intertechnology (SiA/Vishay Siliconix).
What kind of company: Vishay is a global electronics manufacturer specializing in discrete semiconductors (MOSFETs, diodes, ICs) and passive components (resistors, capacitors, inductors), headquartered in Malvern, Pennsylvania, USA.

Application

SI4403CDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET used for power switching. Typical applications:
- Synchronous buck/boost DC-DC converters
- High-side/low-side rail switches
- Battery-management and protection circuits
- Motor control and gate-drive circuits
- Automotive and industrial power management
- Solar/battery inverters and other switching regulator circuits

Equivalent

I don’t have web access to look up exact cross-references. Please paste the SI4403CDY-T1-GE3 datasheet or give key specs (VDS, ID, RDS(on), package). With that I can list direct equivalents from major manufacturers (IRF/Infineon, ON Semi, ROHM, Alpha & Omega, Diodes Inc.) quickly.

出荷

出荷方法私たち

DHL、FedEx、TNT、UPS、またはあなたの選択の他の運送業者を通じてグローバルな出荷サービスを提供します。


出荷料参照（DHL/FedEx）:

DHL の: 配送費は25ドル〜45ドル（0.5kg）の範囲で、推定配送時間は2〜5営業日です。

フェデックス: 配送費は25ドル〜40ドル（0.5kg）の範囲で、推定配送時間は3〜7営業日。

UPS の: 配送費は25ドル〜45ドル（0.5kg）の範囲で、推定配送時間は3〜7営業日。

TNT社: 配送費は25ドル〜65ドル（0.5kg）の範囲で、推定配送時間は3〜7営業日。

EMS: 配送料金は30〜50ドル（0.5kg）の範囲で、推定配送時間は7〜15営業日です。

登録航空郵便: 配送費は2〜4ドル（0.1kg）で、推定配送時間は5〜20営業日です。

支払い

Payment Methods

支払い期間は100％前払いです。

現在、下記の支払い方法のみを受け入れています。:

1. ペイパル

2. クレジット・デビットカード

3. ワイヤー 転送

類似