SI1012R-T1-GE3

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SI1012R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

  • メーカーVishay Siliconix
  • Mfr。パート #SI1012R-T1-GE3
  • パッケージ
  • データシート SI1012R-T1-GE3 DataSheet
  • 在庫中17278

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仕様

Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±6V
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SC-75A
Package / Case SC-75, SOT-416
Base Product Number SI1012

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