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NVB190N65S3F
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
- メーカーonsemi
- Mfr。パート #NVB190N65S3F
- パッケージ
- データシート NVB190N65S3F DataSheet
- 在庫中11825
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仕様
Series | SuperFET® III |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 430µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1605 pF @ 400 V |
Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2PAK) |
Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Base Product Number | NVB190 |
出荷
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