NVB190N65S3F

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NVB190N65S3F

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

  • メーカーonsemi
  • Mfr。パート #NVB190N65S3F
  • パッケージ
  • データシート NVB190N65S3F DataSheet
  • 在庫中11825

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仕様

Series SuperFET® III
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 162W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263 (D2PAK)
Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number NVB190

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