NTH4L028N170M1

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NTH4L028N170M1

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

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仕様

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 81A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 535W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4L
Package / Case TO-247-4
Base Product Number NTH4L02

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