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IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
- メーカーInfineon Technologies
- Mfr。パート #IRFH6200TRPBF
- パッケージ
- データシート IRFH6200TRPBF DataSheet
- 在庫中9276
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仕様
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±12V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10890 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Base Product Number | IRFH6200 |
出荷
出荷方法私たち
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フェデックス: 配送費は25ドル〜40ドル(0.5kg)の範囲で、推定配送時間は3〜7営業日。
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