IPD60R3K3C6

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IPD60R3K3C6

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

  • メーカーInfineon Technologies
  • Mfr。パート #IPD60R3K3C6
  • パッケージ
  • データシート IPD60R3K3C6 DataSheet
  • 在庫中13556

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仕様

Series CoolMOS™ C6
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 93 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 18.1W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number IPD60R

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