IPD60R380E6BTMA1

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IPD60R380E6BTMA1

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

  • メーカー
  • Mfr。パート #IPD60R380E6BTMA1
  • パッケージ
  • データシート
  • 在庫中8051

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仕様

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series CoolMOS™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 300µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 700 pF @ 100 V
FETFeature Super Junction
PowerDissipation(Max) 83W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 155°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO252-3

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