IPD50R280CEBTMA1

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IPD50R280CEBTMA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

  • メーカー
  • Mfr。パート #IPD50R280CEBTMA1
  • パッケージ
  • データシート
  • 在庫中2055

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仕様

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series CoolMOS™
ProductStatus Discontinued at Digi-Key
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 13V
RdsOn(Max)@IdVgs 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 350µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32.6 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 773 pF @ 100 V
FETFeature Super Junction
PowerDissipation(Max) 92W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO252-3-11

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