GA10SICP12-263

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GA10SICP12-263

TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

  • メーカー
  • Mfr。パート #GA10SICP12-263
  • パッケージ
  • データシート
  • 在庫中3053

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仕様

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 10A
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1403 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 170W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

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EMS: 配送料金は30〜50ドル(0.5kg)の範囲で、推定配送時間は7〜15営業日です。

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